場效應管和三極管比較各有什麽優缺點
壹、優點：
1、場效應管：具有輸入電阻高（107～1015Ω）、噪聲小、功耗低、動態範圍大、易於集成、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬等優點。
2、三極管：晶體三極管具有電流放大作用，其實質是三極管能以基極電流微小的變化量來控制集電極電流較大的變化量。這是三極管最基本的和最重要的特性。
二、缺點：
1、場效應管：場效應管的輸入阻抗很大，輸入電流極小。
2、三極管：晶體三極管輸入阻抗很小，在導電時輸入電流較大。
擴展資料：
場效應管的溝道形成原理：
當Vgs=0 V時，漏源之間相當兩個背靠背的二極管，在D、S之間加上電壓，不會在D、S間形成電流。
當柵極加有電壓時，若0＜Vgs＜Vgs(th)時（VGS(th) 稱為開啟電壓），通過柵極和襯底間的電容作用，將靠近柵極下方的P型半導體中的空穴向下方排斥，出現了壹薄層負離子的耗盡層。耗盡層中的少子將向表層運動，但數量有限，不足以形成溝道，所以仍然不足以形成漏極電流ID。
進壹步增加Vgs，當Vgs＞Vgs(th)時，由於此時的柵極電壓已經比較強，在靠近柵極下方的P型半導體表層中聚集較多的電子，可以形成溝道，將漏極和源極溝通。如果此時加有漏源電壓，就可以形成漏極電流ID。在柵極下方形成的導電溝道中的電子，因與P型半導體的載流子空穴極性相反，故稱為反型層（inversion layer）。隨著Vgs的繼續增加，ID將不斷增加。
在Vgs=0V時ID=0，只有當Vgs＞Vgs(th)後才會出現漏極電流，這種MOS管稱為增強型MOS管。
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