電子元件生產工藝流程圖
壹、IC生產工藝流程圖
整個流程分為六個部分：單晶矽片制造，IC設計，光罩制作，IC制造，IC測試和封裝。
1、單晶矽片制造
單晶矽片是用來制造IC的，單晶矽片制造流程主要有拉晶、切割、研磨、拋光和清洗。
2、IC設計
IC設計主要是設計電路，並把設計好的電路轉化為版圖。
3、光罩制作
光罩制作是指將IC設計中心已設計好的電路版圖以同樣比例或減小比例轉化到壹塊玻璃板上。
4、IC制造?
IC制造是指在單晶矽片上制作集成電路芯片，其流程主要有蝕刻、氧化、擴散/離子植入、化學氣相沈積薄膜和金屬濺鍍。擁有上述功能的公司壹般被稱為晶圓代工廠。
5、IC測試?
在產品銷售給客戶前，為了確保IC的質量，在IC封裝前（晶圓點測）或者封裝後（終測）要對其功能進行測試。?
6、IC封裝?
IC封裝是指晶圓點測後對IC進行封裝，其流程主要有晶圓切割、固晶、打線、塑封、切筋和成形、打碼、終測、分選和編帶。?
二、貼片電阻生產工藝流程圖
工藝過程主要有三大基本操作步驟：塗布、貼裝、焊接。
1、塗布
塗布是將焊膏（或固化膠）塗布到PCB板上。塗布相關設備是：印刷機、點膏機。
塗布相關設備是印刷機、點膏機。
塗布設備：精密絲網印刷機、管狀多點立體精密印刷機。
2、貼裝
貼裝是將器件貼裝到PCB板上。
相關設備貼片機。
貼裝設備：全自動貼片機、手動貼片機。
3、回流焊：?
回流焊是將組件板加溫，使焊膏熔化而達到器件與PCB板焊盤之間電氣連接。
相關設備：回流焊爐。
三、電容生產工藝流程圖
1、原材料：陶瓷粉配料關鍵的部分(原材料決定MLCC的性能)；?
2、球磨：通過球磨機(大約經過2-3天時間球磨將瓷份配料顆粒直徑達到微米級)；?3、配料——各種配料按照壹定比例混合；?4、和漿——加添加劑將混合材料和成糊狀；?
5、流沿：將糊狀漿體均勻塗在薄膜上(薄膜為特種材料，保證表面平整)；?
6、印刷電極：將電極材料以壹定規則印刷到流沿後的糊狀漿體上(電極層的錯位在這個工藝上保證，不同MLCC的尺寸由該工藝保證)；?
7、疊層：將印刷好電極的流沿漿體塊依照容值的不同疊加起來，形成電容坯體版(具體尺寸的電容值是由不同的層數確定的)；?
8、層壓：使多層的坯體版能夠結合緊密；?
9、切割：將坯體版切割成單體的坯體；?
10、排膠：將粘合原材料的粘合劑用390攝氏度的高溫將其排除；?
11、焙燒：用1300攝氏度的高溫將陶瓷粉燒結成陶瓷材料形成陶瓷顆粒(該過程持續幾天時間，如果在焙燒的過程中溫度控制不好就容易產生電容的脆裂)；
12、倒角：將長方體的棱角磨掉，並且將電極露出來，形成倒角陶瓷顆粒；?
13、封端：將露出電極的倒角陶瓷顆粒豎立起來用銅或者銀材料將斷頭封起來形成銅(或銀)電極，並且鏈接粘合好電極版形成封端陶瓷顆粒(該工藝決定電容的)；?
14、燒端：將封端陶瓷顆粒放到高溫爐裏面將銅端(或銀端)電極燒結使其與電極版接觸縝密；形成陶瓷電容初體；?
15、鍍鎳：將陶瓷電容初體電極端(銅端或銀端)電鍍上壹層薄薄的鎳層，鎳層壹定要完全覆蓋電極端銅或銀，形成陶瓷電容次體(該鎳層主要是屏蔽電極銅或銀與最外層的錫發生相互滲透，導致電容老衰)；?
16、鍍錫：在鍍好鎳後的陶瓷電容次體上鍍上壹層錫想成陶瓷電容成體(錫是易焊接材料，鍍錫工藝決定電容的可焊性)；?
17、測試：該流程必測的四個指標：耐電壓、電容量、DF值損耗、漏電流Ir和絕緣電阻Ri(該工藝區分電容的耐電壓值，電容的精確度等)?
擴展材料：
流程圖的基本符號?
1、設計流程圖的難點在於對業務邏輯的清晰把握。熟悉整個流程的方方面面。這要求設計者自己對任何活動、事件的流程設計，都要事先對該活動、事件本身進行深入分析，研究內在的屬性和規律，
在此基礎上把握流程設計的環節和時序，做出流程的科學設計，研究內在屬性與規律，這是流程設計應該考慮的基本因素。?也是設計壹個好的流程圖的前提條件。
2、根據事物內在屬性和規律進行具體分析，將流程的全過程，按每個階段的作用、功能的不同，分解為若幹小環節，每壹個環節都可以用壹個進程來表示。在流程圖中進程使用方框符號來表達。
3、既然是流程，每個環節就會有先後順序，按照每個環節應該經歷的時間順序，將各環節依次排開，並用箭頭線連接起來。?箭頭線在流程圖中表示各環節、步驟在順序中的進程，某環節，按需要可在方框中或方框外，作簡要註釋，也可不作註釋。?
4、經常判斷是非常重要的，用來表示過程中的壹項判定或壹個分岔點，判定或分岔的說明寫在菱形內，常以問題的形式出現。對該問題的回答決定了判定符號之外引出的路線，每條路線標上相應的回答。
參考資料：