請問有誰會使用<晶體管特性圖示儀>啊
2. 集電極峰值電壓保險絲：1.5A。
3. 峰值電壓%：峰值電壓可在0～10V、0～50V、0～100V、0～500V之連續可調，面板上的標稱值是近似值，參考用。
4. 功耗限制電阻：它是串聯在被測管的集電極電路中，限制超過功耗，亦可作為被測半導體管集電極的負載電阻。
5. 峰值電壓範圍：分0～10V/5A、0～50V/1A、0～100V/0.5A、0～500V/0.1A四擋。當由低擋改換高擋觀察半導體管的特性時，須先將峰值電壓調到零值，換擋後再按需要的電壓逐漸增加，否則容易擊穿被測晶體管。
AC擋的設置專為二極管或其他元件的測試提供雙向掃描，以便能同時顯示器件正反向的特性曲線。
6. 電容平衡：由於集電極電流輸出端對地存在各種雜散電容，都將形成電容性電流，因而在電流取樣電阻上產生電壓降，造成測量誤差。為了盡量減小電容性電流，測試前應調節電容平衡，使容性電流減至最小。
7. 輔助電容平衡：是針對集電極變壓器次級繞組對地電容的不對稱，而再次進行電容平衡調節。
8. 電源開關及輝度調節：旋鈕拉出，接通儀器電源，旋轉旋鈕可以改變示波管光點亮度。
9. 電源指示：接通電源時燈亮。
10. 聚焦旋鈕：調節旋鈕可使光跡最清晰。
11. 熒光屏幕：示波管屏幕，外有座標刻度片。
12. 輔助聚焦：與聚焦旋鈕配合使用。
13. Y軸選擇（電流/度）開關：具有22擋四種偏轉作用的開關。可以進行集電極電流、基極電壓、基極電流和外接的不同轉換。
14. 電流/度×0.1倍率指示燈：燈亮時，儀器進入電流/度×0.1倍工作狀態。
15. 垂直移位及電流/度倍率開關：調節跡線在垂直方向的移位。旋鈕拉出，放大器增益擴大10倍，電流/度各擋IC標值×0.1，同時指示燈14亮.
16. Y軸增益：校正Y軸增益。
17. X軸增益：校正X軸增益。
18.顯示開關：分轉換、接地、校準三擋，其作用是：
⑴轉換：使圖像在Ⅰ、Ⅲ象限內相互轉換，便於由NPN管轉測PNP管時簡化測試操作。
⑵接地：放大器輸入接地，表示輸入為零的基準點。
⑶校準：按下校準鍵，光點在X、Y軸方向移動的距離剛好為10度，以達到10度校正目的。
19. X軸移位：調節光跡在水平方向的移位。
20. X軸選擇（電壓/度）開關：可以進行集電極電壓、基極電流、基極電壓和外接四種功能的轉換，***17擋。
21. “級/簇”調節：在0～10的範圍內可連續調節階梯信號的級數。
22. 調零旋鈕 ：測試前，應首先調整階梯信號的起始級零電平的位置。當熒光屏上已觀察到基極階梯信號後，按下測試臺上選擇按鍵“零電壓”，觀察光點停留在熒光屏上的位置，復位後調節零旋鈕，使階梯信號的起始級光點仍在該處，這樣階梯信號的零電位即被準確校正。
23. 階梯信號選擇開關：可以調節每級電流大小註入被測管的基極，作為測試各種特性曲線的基極信號源，***22擋。壹般選用基極電流/級，當測試場效應管時選用基極源電壓/級。
24. 串聯電阻開關：當階梯信號選擇開關置於電壓/級的位置時，串聯電阻將串聯在被測管的輸入電路中。
25. 重復－－關按鍵：彈出為重復，階梯信號重復出現；按下為關，階梯信號處於待觸發狀態。
26. 階梯信號待觸發指示燈：重復按鍵按下時燈亮，階梯信號進入待觸發狀態。
27. 單簇按鍵開關：單簇的按動其作用是使預先調整好的電壓（電流）/級，出現壹次階梯信號後回到等待觸發位置，因此可利用它瞬間作用的特性來觀察被測管的各種極限特性。
28. 極性按鍵：極性的選擇取決於被測管的特性。
29. 測試臺：其結構如圖A-24所示。
圖A-24 XJ4810型半導體管特性圖示儀測試臺
30. 測試選擇按鍵：
⑴“左”、“右”、“二簇”：可以在測試時任選左右兩個被測管的特性，當置於“二簇”時，即通過電子開關自動地交替顯示左右二簇特性曲線，此時“級/簇”應置適當位置，以利於觀察。二簇特性曲線比較時，請不要誤按單簇按鍵。
⑵“零電壓”鍵：按下此鍵用於調整階梯信號的起始級在零電平的位置，見（22）項。
⑶“零電流”鍵：按下此鍵時被測管的基極處於開路狀態，即能測量ICEO特性。
31、32. 左右測試插孔：插上專用插座（隨機附件），可測試F1、F2型管座的功率晶體管。
33、34、35.晶體管測試插座。
36. 二極管反向漏電流專用插孔（接地端）。
在儀器右側板上分布有圖A-25所示的旋鈕和端子：
圖A-25 XJ4810型半導體管特性圖示儀右側板
37. 二簇移位旋鈕：在二簇顯示時，可改變右簇曲線的位置，更方便於配對晶體管各種參數的比較。
38. Y軸信號輸入：Y軸選擇開關置外接時，Y軸信號由此插座輸入。
39. X軸信號輸入：X軸選擇開關置外接時，X軸信號由此插座輸入。
40. 校準信號輸出端：1V、0.5V校準信號由此二孔輸出。
7.2測試前註意事項
為保證儀器的合理使用，既不損壞被測晶體管，也不損壞儀器內部線路，在使用儀器前應註意下列事項：
1. 對被測管的主要直流參數應有壹個大概的了解和估計，特別要了解被測管的集電極最大允許耗散功率PCM、最大允許電流ICM和擊穿電壓BVEBO、BVCBO 。
2. 選擇好掃描和階梯信號的極性，以適應不同管型和測試項目的需要。
3. 根據所測參數或被測管允許的集電極電壓，選擇合適的掃描電壓範圍。壹般情況下，應先將峰值電壓調至零，更改掃描電壓範圍時，也應先將峰值電壓調至零。選擇壹定的功耗電阻，測試反向特性時，功耗電阻要選大壹些，同時將X、Y偏轉開關置於合適擋位。測試時掃描電壓應從零逐步調節到需要值。
4. 對被測管進行必要的估算，以選擇合適的階梯電流或階梯電壓，壹般宜先小壹點，再根據需要逐步加大。測試時不應超過被測管的集電極最大允許功耗。
5. 在進行ICM的測試時，壹般采用單簇為宜，以免損壞被測管。
6. 在進行IC或ICM的測試中，應根據集電極電壓的實際情況選擇，不應超過本儀器規定的最大電流，見表A-3。
電壓範圍/V 0～10 0～50 0～100 0～500
允許最大電流/A 5 1 0.5 0.1
表A-3 最大電流對照表
7. 進行高壓測試時，應特別註意安全，電壓應從零逐步調節到需要值。觀察完畢，應及時將峰值電壓調到零。
7.3基本操作步驟
1. 按下電源開關，指示燈亮，預熱15分鐘後，即可進行測試。
2. 調節輝度、聚焦及輔助聚焦，使光點清晰。
3. 將峰值電壓旋鈕調至零，峰值電壓範圍、極性、功耗電阻等開關置於測試所需位置。
4. 對X、Y軸放大器進行10度校準。
5. 調節階梯調零。
6. 選擇需要的基極階梯信號，將極性、串聯電阻置於合適擋位，調節級/簇旋鈕，使階梯信號為10級/簇，階梯信號置重復位置。
7. 插上被測晶體管，緩慢地增大峰值電壓，熒光屏上即有曲線顯示。
7.4測試實例
1. 晶體管hFE和β值的測量
以NPN型3DK2晶體管為例，查手冊得知3DK2 hFE的測試條件為VCE =1V、IC=10mA。將光點移至熒光屏的左下角作座表零點。儀器部件的置位詳見表A-4。
表A-4 3DK2晶體管hFE、β測試時儀器部件的置位
部件 置位 部件 置位
峰值電壓範圍 0～10V Y軸集電極電流 1 mA /度
集電極極性 + 階梯信號 重復
功耗電阻 250Ω 階梯極性 +
X軸集電極電壓 1V/度 階梯選擇 20μA
逐漸加大峰值電壓就能在顯示屏上看到壹簇特性曲線，如圖A-26所示.讀出X軸集電極電壓Vce =1V時最上面壹條曲線（每條曲線為20μA，最下面壹條IB=0不計在內）IB值和Y軸IC值，可得
hFE = = = =42.5
若把X軸選擇開關放在基極電流或基極源電壓位置，即可得到圖A-27所示的電流放大特性曲線。即
β=
圖A-26 晶體三極管輸出特性曲線 圖A-27 電流放大特性曲線
PNP型三極管hFE和β的測量方法同上，只需改變掃描電壓極性、階梯信號極性、並把光點移至熒光屏右上角即可。
2.晶體管反向電流的測試
以NPN型3DK2晶體管為例，查手冊得知3DK2 ICBO、ICEO的測試條件為VCB、VCE均為10V。測試時，儀器部件的置位詳見表A-5。
逐漸調高“峰值電壓”使X軸VCB=10V，讀出Y軸的偏移量，即為被測值。被測管的接線方法如圖1-28，其中圖A-28（a）測ICBO值，圖A-28（b）測ICEO值、圖A-28（c）測IEBO值。
圖A-28 晶體管反向電流的測試
表A-5 3DK2晶體管反向電流測試時儀器部件的置位
項目
部件 位置
ICBO
ICEO
峰值電壓範圍 0～10V 0～10V
極性 ＋ ＋
X軸集電極電壓 2V/度 2V/度
Y軸集電極電流 10μA/度 10μA/度
倍率 Y軸位移拉出×0.1 Y軸位移拉出×0.1
功耗限制電阻 5KΩ 5KΩ
測試曲線如圖A-29所示。
讀數：ICBO=0.5μA（VCB=10V） ICEO=1μA（VCE=10V）
圖A-29 反向電流測試曲線
PNP型晶體管的測試方法與NPN型晶體管的測試方法相同。可按測試條件，適當改變擋位，並把集電極掃描電壓極性改為“—”，把光點調到熒光屏的右下角（階梯極性為“+”時）或右上角（階梯極性為“—”時）即可。
3.晶體管擊穿電壓的測試
以NPN型3DK2晶體管為例，查手冊得知3DK2 BVCBO、BVCEO、BVEBO的測試條件IC分別為100μA、200μA和100μA。測試時，儀器部件的置位詳見表A-6。
逐步調高“峰值電壓”，被測管按圖A-30（a）的接法，Y軸IC=0.1mA時，X軸的偏移量為BVCEO值；被測管按圖A-30（b）的接法，Y軸IC=0.2m A時，X軸的偏移量為BVCEO值；被測管按圖A-30（c）的接法，Y軸IC=0.1mA時，X軸的偏移量為BVEBO值。
表A-6 3DK2晶體管擊穿電壓測試時儀器部件的置位
置位 項目
部件
BVCBO
BVCEO
BVEBO
峰值電壓範圍 0～100V 0～100V 0～10V
極性 + + +
X軸集電極電壓 10V/度 10V/度 1V/度
Y軸集電極電流 20μA/度 20μA/度 20μA/度
功耗限止電阻 1 kΩ～5 kΩ 1 kΩ～5 kΩ 1 kΩ～5 kΩ
測試曲線如圖A-30所示。
圖A-30 反向擊穿電壓曲線（NPN）
圖A-31 反向擊穿電壓曲線（PNP）
讀數：BVCBO=70V（IC=100μA）
BVCEO=60V（IC=200μA）
BVEBO=7.8V（IC=100μA）
PNP型晶體管的測試方法與NPN型晶體管的測試方法相似。其測試曲線如圖1-31所示。
4.穩壓二極管的測試
以2CW19穩壓二極管為例，查手冊得知2CW19穩定電壓的測試條件IR=3mA。測試時。儀器部件置位詳見表A-7。
逐漸加大“峰值電壓”，即可在熒光屏上看到被測管的特性曲線，如圖A-32所示。
表A-7 2CW19穩壓二極管測試時儀器部件的置位
部件 置位 部件
置位
峰值電壓範圍 AC 0～10V X軸集電極電壓 5V/度
功耗限止電阻 5 kΩ Y軸集電極電流 1mA/度
讀數：正向壓降約0.7V，穩定電壓約12.5V。
5.整流二極管反向漏電電流的測試
以2DP5C整流二極管為例，查手冊得知2DP5的反向電流應≤500nA。測試時，儀器各部件的置位詳見表A-8。
逐漸增大“峰值電壓”，在熒光屏上即可顯示被測管反向漏電電流特性，如圖A-33所示。
讀數：IR=4div×0.2μA×0.1(倍率)=80 nA
測量結果表明，被測管性能符合要求。
圖A-32 穩壓二極管特性曲線 圖A-33 二極管反向電流測試
表A-8 2DP5C整流二極管測試時儀器部件的置位
部件 置位 部件
置位
峰值電壓範圍 0～10V Y軸集電極電流 0.2μA/度
功耗限制電阻 1 kΩ 倍率 Y軸位移拉出×0.1
X軸集電極電壓 1V/度
6.二簇特性曲線比較測試
以NPN型3DG6晶體管為例，查手冊得知3DG6晶體管輸出特性的測試條件為IC=10 mA、VCE=10V。測試時，儀器部件的置位詳見表A-9。
將被測的兩只晶體管，分別插入測試臺左、右插座內，然後按表1-8置位各功能鍵，參數調至理想位置。按下測試選擇按鈕的“二簇”琴鍵，逐步增大峰值電壓，即可要熒光屏上顯示二簇特性曲線，如圖A-34所示。
表A-9 二簇特性曲線測試時儀器部件的置位
部件 置位 部件 置位
峰值電壓範圍 0～10V Y軸集電極電流 1 mA/度
極性 + “重復－－關”開關 重復
功耗限制電阻 250Ω 階梯信號選擇開關 10μA/級
X軸集電極電壓 1V/度 階梯極性 +
當測試配對管要求很高時，可調節“二簇位移旋鈕”（37），使右簇曲線左移，視其曲線重合程度，可判定其輸出特性的壹致程度。
圖A-34 二簇輸出特性曲線