ccp刻蝕全稱

CCPplasma蝕刻機器。ccp刻蝕具備在介質刻蝕上的高選擇比、高刻蝕速率等優勢，適用於介質類氧化矽、氮化矽、氮氧化矽等膜層材料，名稱為CCPplasma蝕刻機器，可為客戶提供包括邏輯器件、功率器件、化合物半導體等在內的多種特色工藝。