第三代半導體材料都有什麽？

第三代半導體材料以碳化矽(SiC)、氮化鎵(GaN)、氧化鋅(ZnO)、金剛石(C)為代表，我國從1995年開始涉足第三代半導體材料的研究。其中，碳化矽憑借其耐高壓、耐高溫、低能量損耗等特性被認為是5G通信晶片中最理想的襯底，氮化鎵則憑借其高臨界磁場、高電子遷移率的特點被認為是超高頻器件的絕佳選擇。

需要說明的是，第三代半導體與第壹代、第二代半導體之間並不是相互替代的關系。它們適用於不同的領域，應用範圍有所交叉，但不是完全等同。第三代半導體有其擅長的領域，在特定的“舒適區”內性能確實是優於矽、鍺等傳統半導體材料，但在“舒適圈”之外，矽仍然占據王者地位