vgs小於vth是什麽區
亞閾值區
壹般分析MOS管的工作狀態時，采用了強反型近似，即假定當MOS管的Vgs大於Vth時，表面產生反型，溝道立即形成，而當MOS管的Vgs小於Vth時，器件就會突然截止。但MOS管的實際工作狀態應用弱反型模型，即當Vgs略小於Vth時，MOS管已開始導通，仍會產生壹個弱反型層，從而會產生由漏流向源的電流，稱為亞閥值導通，而且ID與Vgs呈指數關系。
壹般分析MOS管的工作狀態時，采用了強反型近似，即假定當MOS管的Vgs大於Vth時，表面產生反型，溝道立即形成，而當MOS管的Vgs小於Vth時，器件就會突然截止。但MOS管的實際工作狀態應用弱反型模型，即當Vgs略小於Vth時，MOS管已開始導通，仍會產生壹個弱反型層，從而會產生由漏流向源的電流，稱為亞閥值導通，而且ID與Vgs呈指數關系。