判斷三極管的工作狀態
NPN管判斷方法如下：
截止狀態：Ube<0.7V； （如果是鍺管則Ube<0.3V）
放大狀態：Ube>0.7V，Uce>Ube；
飽和狀態：Ube>0.7V，Uce<Ube。
妳的圖（d）中，三極管是NPN。 Ube=10.75-10=0.75V ；Uce=10.3-10=0.3V 。
這樣， Ube>0.7V，Uce<Ube，所以此三極管工作在飽和狀態。
PNP管判斷如下：
截止狀態：Ueb<0.7V； （如果是鍺管則Ueb<0.3V）
放大狀態：Ueb>0.7V，Uec>Ueb；
飽和狀態：Ueb>0.7V，Uec<Ueb。
圖（h）中，三極管是PNP，Ueb=12-11.7=0.3V；Uec=12-8=4V。
這樣，如果是矽管，則 Ueb<0.7V，三極管是截止狀態；如果是鍺管，則 Ueb>0.3V，Uec>Ueb，三極管是放大狀態。
擴展資料：
三極管，全稱應為半導體三極管，也稱雙極型晶體管、晶體三極管，是壹種控制電流的半導體器件其作用是把微弱信號放大成幅度值較大的電信號， 也用作無觸點開關。
三極管是半導體基本元器件之壹，具有電流放大作用，是電子電路的核心元件。三極管是在壹塊半導體基片上制作兩個相距很近的PN結，兩個PN結把整塊半導體分成三部分，中間部分是基區，兩側部分是發射區和集電區，排列方式有PNP和NPN兩種。
電子三極管 Triode （俗稱電子管的壹種）
雙極型晶體管?BJT （Bipolar Junction Transistor）
J型場效應管?Junction gate FET（Field Effect Transistor）
金屬氧化物半導體場效應晶體管 MOS FET ( Metal Oxide Semi-Conductor Field Effect Transistor)英文全稱
V型槽場效應管 VMOS （Vertical Metal Oxide Semiconductor ）
註：這三者看上去都是場效應管，其實金屬氧化物半導體場效應晶體管 、V型槽溝道場效應管 是 單極（Unipolar）結構的，是和 雙極（Bipolar）是對應的，所以也可以統稱為單極晶體管（Unipolar Junction Transistor）
其中J型場效應管是非絕緣型場效應管，MOS FET 和VMOS都是絕緣型的場效應管
VMOS是在 MOS的基礎上改進的壹種大電流，高放大倍數（跨道）新型功率晶體管，區別就是使用了V型槽，使MOS管的放大系數和工作電流大幅提升，但是同時也大幅增加了MOS的輸入電容，是MOS管的壹種大功率改進型產品，但是結構上已經與傳統的MOS發生了巨大的差異。VMOS只有增強型的而沒有MOS所特有的耗盡型的MOS管
放大原理
1、發射區向基區發射電子
電源Ub經過電阻Rb加在發射結上，發射結正偏，發射區的多數載流子(自由電子）不斷地越過發射結進入基區，形成發射極電流Ie。同時基區多數載流子也向發射區擴散，但由於多數載流子濃度遠低於發射區載流子濃度，可以不考慮這個電流，因此可以認為發射結主要是電子流。
2、基區中電子的擴散與復合
電子進入基區後，先在靠近發射結的附近密集，漸漸形成電子濃度差，在濃度差的作用下，促使電子流在基區中向集電結擴散，被集電結電場拉入集電區形成集電極電流Ic。也有很小壹部分電子（因為基區很薄）與基區的空穴復合，擴散的電子流與復合電子流之比例決定了三極管的放大能力。
3、集電區收集電子
由於集電結外加反向電壓很大，這個反向電壓產生的電場力將阻止集電區電子向基區擴散，同時將擴散到集電結附近的電子拉入集電區從而形成集電極主電流Icn。另外集電區的少數載流子（空穴）也會產生漂移運動，流向基區形成反向飽和電流，用Icbo來表示，其數值很小，但對溫度卻異常敏感。
參考資料：