mos管是什麽

mos管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導體（semiconductor）場效應晶體管，或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導體。

MOS管的source和drain是可以對調的，它們都是在P型backgate中形成的N型區。在多數情況下，這個兩個區是壹樣的，即使兩端對調也不會影響器件的性能。這樣的器件被認為是對稱的。

雙極型晶體管把輸入端電流的微小變化放大後，在輸出端輸出壹個大的電流變化。雙極型晶體管的增益就定義為輸出輸入電流之比（beta）。另壹種晶體管，叫做場效應管（FET），把輸入電壓的變化轉化為輸出電流的變化。

工作原理：

金氧半場效晶體管在結構上以壹個金屬—氧化物層—半導體的電容為核心（現在的金氧半場效晶體管多半以多晶矽取代金屬作為其柵極材料），氧化層的材料多半是二氧化矽，其下是作為基極的矽，而其上則是作為柵極的多晶矽。

這樣的結構正好等於壹個電容器，氧化層為電容器中介電質，而電容值由氧化層的厚度與二氧化矽的介電系數來決定。柵極多晶矽與基極的矽則成為MOS電容的兩個端點。當壹個電壓施加在MOS電容的兩端時，半導體的電荷分布也會跟著改變。

以上內容參考：百度百科-MOS