中村修二是如何實現n摻雜和p摻雜

中村修二實現p摻雜是靠控制工藝中的氫氣濃度。實現n摻雜是改變氣流的流速。經報道鎂摻雜的氮化鎵薄膜利，用電子束輻射可以實現空穴導電，但是中村修二實驗發現只要控制工藝中的氫氣濃度就，可以大規模地得到p型摻雜材料。二六族可以做藍光，他做的是氫化鎵，創新上面噴射的壹個氣流，它改變了流速，解決了氫化鎵的摻雜問題，以前都是還原摻雜用，矽鍺硒來實現三族的N型摻雜，從而使得P-N成為可能。