DDR DDR2 DDR3三種內存發行時間

DDR發行1996年：DR全稱是DDR SDRAM(Double Date Rate SDRAM，雙倍速率SDRAM)。DDR SDRAM最早是由三星公司於1996年提出。

由日本電氣、三菱、富士通、東芝、日立、德州儀器、三星及現代等八家公司協議訂立的內存規格，並得到了AMD、VIA與SiS等主要芯片組廠商的支持。它是SDRAM 的升級版本，因此也稱為「SDRAM II」。

DDR2發行2006年：DDR2在增加內存帶寬的同時也增加了內存延遲時間，也就是說每次操作要耗費的時鐘周期將會增加。DDR2內存需要4個時鐘周期或者5個時鐘周期，tRAS也可能會增加到最少8個時鐘周期，而高速DDR內存的tRAS可以達到5個時鐘周期。

因此在800MHz前端總線下，DDR2並沒有為系統性能帶來多大的提升，只有CPU的前端總線再次提升後，DDR2才能真正發揮出其高帶寬上的優勢。

DDR3發行2009年：在2009年冬季即將結束，三星正式推出目前世界上單顆密度最大的DDR3芯片，基於50納米制造工藝，推單顆容量到了4Gb,這個終於可以更快的跨入64位的時代，因為單根PC內存條的容量已達到了驚人的32GB。新的芯片比先前的DDR3芯片功耗降低了40%。

擴展資料：

DDR和DDR2、DDR3的區別：

DDR：

DDR采用壹個周期來回傳遞壹次數據，因此傳輸在同時間加倍，因此就像工作在兩倍的工作頻率壹樣。為了直觀，以等效的方式命名，因此命名為DDR 200 266 333 400。

DDR2：

DDR2盡管工作頻率沒有變化，數據傳輸位寬由DDR的2bit變為4bit，那麽同時間傳遞數據是DDR的兩倍，因此也用等效頻率命名，分別為DDR2 400 533 667 800。

DDR3：

DDR3內存也沒有增加工作頻率，繼續提升數據傳輸位寬變為8bit，為DDR2兩倍，因此也在同樣工作頻率下達到更高帶寬，因此用等效方式命名DDR3 800 1066 1333 1600。

所以可以看到，如DDR 400 DDR2 800 DDR3 1600內存工作頻率沒有區別，只是由於傳輸數據位寬倍增，導致帶寬的增加。

而內存的真正工作頻率決定於延遲，DDR400與DDR2 800真實工作頻率相同，後者帶寬是前者壹倍，延遲上壹樣。如果是DDR400與DDR2 667，那後者雖然帶寬更大，不過其真實頻率反而低壹些，延遲上略大。