IGBT模塊損壞的原因有哪些？
壹、死區變窄
死區的寬窄主要取決於IGBT管的關斷時間。影響判斷時間的主要因素有：
1、環境溫度。環境溫度高，將延長IGBT管的判斷時間，使同壹橋臂的上、下兩管在交替導通過程中的死區變窄，甚至導致直通。這就是在夏天，模塊燒壞的故障率偏高的原因。2、變頻器的輸出電流過大。
變頻器的輸出電流大，也會延長IGBT管的關斷時間，導致直通。
二、驅動不足
驅動不足也即驅動電壓偏低，容易使IGBT管進入放大狀態，IGBT管的功耗大幅增加，IGBT管將迅速燒毀。IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應管）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件， 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。