逆變器如何設計變壓器？
中、小容量逆變電源壹般有推挽逆變電路、全橋逆變電路和高頻升壓逆變電路三種。推挽電路，將升壓變壓器的中性抽頭接於正電源，兩只功率管交替工作，輸出得到交流電力，由於功率晶體管***地邊接，驅動及控制電路簡單，另外由於變壓器具有壹定的漏感，可限制短路電流，因而提高了電路的可靠性。其缺點是變壓器利用率低，帶動感性負載的能力較差。
全橋逆變電路克服了推挽電路的缺點，功率晶體管T1、T4和T2、T3反相，T1和T2相位互差180度。調節T1和T2的輸出脈沖寬度，輸出交流電壓的有效值即隨之改變。由於該電路具有能使T2和T4***同導通的功能，因而具有續流回路，即使對感性負載，輸出電壓波形也不會畸變。該電路的缺點是上、下橋臂的功率晶體管不***地，因此必須采用專門驅動電路或采用隔離電源。另外，為防止上、下橋臂發生***同導通，在T1、T4及T2、T3之間必須設計先關斷後導通電路，即必須設置死區時間，其電路結構較復雜。
推挽電路和全橋電路的輸出都必須加升壓變壓器，由於工頻升壓變壓器體積大，效率低，價格也較貴，隨著電力電子技術和微電子技術的發展，采用高頻升壓變換技術實現逆變，可實現高功率密度逆變，這種逆變電路的前級升壓電路采用推挽結構，但工作頻率均在20KHZ以上，升壓變壓器采用高頻磁芯材料，因而體積小／重量輕，高頻逆變後經過高頻變壓器變成高頻交流電，又經高頻整流濾波電路得到高壓直流電（壹般均在300V以上）再通過工頻逆變電路實現逆變。
采用該電路結構，使逆變虬路功率密度大大提高，逆變電源的空載損耗也相應降低，效率得到提高，該電路的缺點是電路復雜，可靠性比上述兩種電路低。
上述幾種逆變電源的主電路均需要有控制電路來實現，壹般有方波和正弱波兩種控制方式，方波輸出的逆變電源電路簡單，成本低，但效率低，諧波成份大。正弦波輸出是逆變電源的發展趨勢，隨著微電子技術的發民，有PWM功能的微處理器也已問世，因此正弦波輸出的逆變技術已經成熟。
1、方波輸出的逆變電源目前多采用脈寬調制集成電路，如SG3525，TL494等。實踐證明，采用SG3525集成電路，並采用功率場效應管作為開關功率元件，能實現性能價格比較高的逆變電源，由於SG3525具有直接驅動功率場效應管的能力並具有內部基準源和運算放大器和欠壓保護功能，因此其外圍電路很簡單。
2、正弦波輸出的逆變電源控制集成電路
正弦波輸出的逆變電源，其控制電路可采用微處理器控制，如INTEL公司生產的80C196MC、摩托羅拉公司生產的MP16以及MI－CROCHIP公司生產的PIC16C73等，這些單片機均具有多路PWM發生器，並可設定上、上橋臂之間的死區時間，采用INTEL公司80C196MC實現正弦波輸出的電路，80C196MC完成正弦波信號的發生，並檢測交流輸出電壓，實現穩壓。
逆變電源的主功率元件的選擇至關重要，目前使用較多的功率元件有達林頓功率晶體管（BJT），功率場效應管（MOSFET），絕緣柵晶體管（IGBT）和可關斷晶閘管（GTO）等，在小容量低壓系統中使用較多的器件為MOSFET，因為MOSFET具有較低的通態壓降和較高的開關頻率，在高壓大容量系統中壹般均采用IGBT模塊，這是因為MOSFET隨著電壓的升高其通態電阻也隨之增大，而IGBT在中容量系統中占有較大的優勢，而在特大容量（100KVA以上）系統中，壹般均采用GTO作為功率元件。