10N60-ASEMI中小功率MOS管10N60
編輯-Z
10N60在TO-220AB封裝裏的柵極閾值電壓VGS(TH)為4V，是壹款中小功率MOS管。10N60的脈沖正向電流ISM為40A，連續漏極電流(ID)為10A，其工作時耐溫度範圍為-55~150攝氏度。10N60的功耗(PD)為155W，靜態漏源導通電阻(RDS(ON))為0.85Ω。10N60的電性參數是：二極管正向電壓(VSD)為1.5V，反向恢復時間(Trr)為600nS，輸出電容(Coss)為180pF，其中有3條引線。
10N60參數描述
型號：10N60
封裝：TO-220AB
特性：中小功率MOS管
電性參數：10A 600V
柵極閾值電壓VGS(TH)：4V
連續漏極電流(ID)：10A
功耗(PD)：155W
二極管正向電壓(VSD)：1.5V
靜態漏源導通電阻(RDS(ON))：0.85Ω
脈沖正向電流ISM：40A
反向恢復時間(Trr)：600nS
輸出電容(Coss)：180pF
貯存溫度：-55~+150℃
引線數量：3
10N60屬於TO-220AB封裝系列。它的本體長度為15.87mm，加引腳長度為28.8mm，寬度為10.16mm，高度為4.7mm，腳間距為2.54mm。