100N10-ASEMI大功率MOS管100N10
編輯-Z
100N10在TO-220AB封裝裏的柵極閾值電壓VGS(TH)為4V，是壹款大功率MOS管。100N10的脈沖漏極電流IDM為390A，連續漏極電流(ID)為100A，其工作時耐溫度範圍為-55~150攝氏度。100N10的功耗(PD)為166W，靜態漏源導通電阻(RDS(ON))為8.8mΩ。100N10的電性參數是：二極管正向電壓(VSD)為1.3V，反向恢復時間(trr)為47nS，輸出電容(Coss)為373pF，其中有3條引線。
100N10參數描述
型號：100N10
封裝：TO-220AB
特性：大功率MOS管
電性參數：100A 100V
柵極閾值電壓VGS(TH)：4V
連續漏極電流(ID)：100A
功耗(PD)：166W
二極管正向電壓(VSD)：1.3V
靜態漏源導通電阻(RDS(ON))：8.8mΩ
脈沖漏極電流IDM：390A
反向恢復時間(trr)：47nS
輸出電容(Coss)：373pF
貯存溫度：-55~+150℃
引線數量：3
100N10屬於TO-220AB封裝系列。它的本體長度為15.32mm，加引腳長度為29.62mm，寬度為10.5mm，高度為4.86mm，腳間距為2.67mm。