第三代芯片是什麽意思
第三代半導體是以碳化矽(SiC) 、氮化鎵(GaN) 為主的半導體材料，與第壹代、第二代半導體材料（SI、CaAs）不同，第三代半導體材料具有高頻、高效、高功率、耐高壓、抗輻射等諸多優勢特性，在5G、新能源汽車、消費電子、新壹代顯示、航空航天等領域有重要應用。目前主要應用在5G、新能源車、充電樁、光伏、軌道交通等領域的核心部件上，而以上領域都是國家重點發展的方向。
在第壹代和第二代半導體材料的發展上，我國由於起步時間遠遠落後，導致在材料供應上受制於人。但在第三代半導體材料領域，國內廠商起步與國外廠商相差不多，且滲透率較低，國產替代空間巨大，在“十四五”等國家政策的密集推動下，國內廠商有望實現技術彎道超車。
第壹代半導體材料以矽（Si）、鍺（Ge）為代表，該類材料產業鏈較為成熟，技術儲備完善且制作成本較低，目前主要應用於大規模集成電路中；
第二代半導體材料以砷化鎵（GaAs）和磷化銦（InP）為代表，在物理結構上具備直接帶隙的特點，相對於 Si 材料具有光電性能佳、工作頻率高，抗高溫、抗輻射等優勢，適用於制作高速高頻、大功率及發光電子器件，是制作高性能微波、毫米波器件及發光器件的優良材料，廣泛運用於移動通訊、衛星通訊、光通訊和 GPS 導航等領域；
第三代半導體指以氮化鎵（GaN）、碳化矽（SiC）為代表的化合物半導體，還包括氧化鋅（ZnO）和金剛石該類半導體材料禁帶寬度大於或等於 2.2eV，因此也被稱為寬禁帶半導體材料