LD7550BBN各腳功能及電壓

1、2腳是內部場效應管的源極，3腳是反饋輸入，4腳是VDD壹般5678腳外接AC220經橋堆整流後的電壓（約300V左右）。

1、OURCE：源極引腳，為內部MOSFET的源極端和電路參考地。

2、FB：反饋引腳，反饋輸入，用於擴展0～1 V反饋控制電壓範圍，同時限定MOSFET的漏極電流峰。

3、VDD：電源引腳，用於給芯片內部的控制電路提供電源，同時它也與漏極高壓電流源相連。為了保證電源更為可靠，其起動開啟閾值（典型值）應為14.5 V，並應在8 V時關閉。

4、DRAIN：漏極引腳，為高壓功率開關MOS-FET的漏極端，同時也可用於內部高壓電流源和充電，其最高耐壓為730V。

擴展資料：

註意事項：

電子元器件必須儲存在清潔、通風、無腐蝕性氣體的倉庫類室內環境中，倉庫應處於通道通暢狀態。另存放電子元器件的倉庫溫度（）和相對濕度（%RH）必須滿足如下要求:溫度：-5-30，相對濕度：20%-75%RH，倉庫的環境溫濕度值將直接影響電子元器件的存儲壽命及品質質量。

對靜電敏感器件（如MOS場效應晶體管、砷化鎵場效應晶體管、CMOS電路等），應存放在具有屏蔽靜電作用的存儲設備內。對磁場敏感但本身無磁屏蔽的電子元器件，應存放在具有屏蔽磁場作用的存儲設備內。

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