變頻器lgbt是什麽意思

變頻器中的lgbt指的是絕緣柵雙極型晶體管，全稱為Insulate-Gate Bipolar Transistor。

lgbt綜合了電力晶體管（Giant Transistor—GTR）和電力場效應晶體管（Power MOSFET）的優點，具有良好的特性，應用領域很廣泛；IGBT也是三端器件：柵極，集電極和發射極。

IGBT是強電流、高壓應用和快速終端設備用垂直功率MOSFET的自然進化。MOSFET由於實現壹個較高的擊穿電壓BVDSS需要壹個源漏通道，而這個通道卻具有很高的電阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數值高的特征，IGBT消除了現有功率MOSFET的這些主要缺點。

模塊特點

IGBT模塊具有節能、安裝維修方便、散熱穩定等特點；當前市場上銷售的多為此類模塊化產品，壹般所說的IGBT也指IGBT模塊；隨著節能環保等理念的推進，此類產品在市場上將越來越多見，與BJT相比具有更好的電流傳導能力，在正向與反向隔離方面參數也更優秀。

IGBT具有非常低的導通壓降與優秀的導通電流密度，所以可以使用更小尺寸的器件從而降低成本，因為柵極結構使用MOS管的同類設計，所以驅動功率非常小，驅動電路也很簡單，與可控矽/BJT這些電流控制型器件來比，在高壓與高電流應用場景，IGBT非常易於控制。

以上內容參考：百度百科-絕緣柵雙極晶體管