可控矽表示什麽
晶閘管又叫可控矽。
自從20世紀50年代問世以來已經發展成了壹個大的家族，它的主要成員有單向晶閘管、雙向晶閘管、光控晶閘管、逆導晶閘管、可關斷晶閘管、快速晶閘管，等等。
今天大家使用的是單向晶閘管，也就是人們常說的普通晶閘管，它是由四層半導體材料組成的，有三個PN結，對外有三個電極〔圖2(a)〕：第壹層P型半導體引出的電極叫陽極A，第三層P型半導體引出的電極叫控制極G，第四層N型半導體引出的電極叫陰極K。
從晶閘管的電路符號〔圖2(b)〕可以看到，它和二極管壹樣是壹種單方向導電的器件，關鍵是多了壹個控制極G，這就使它具有與二極管完全不同的工作特性。
工作特性可控矽
為了能夠直觀地認識晶閘管的工作特性，首先看這塊示教板(圖3)。
晶閘管VS與小燈泡EL串聯起來，通過開關S接在直流電源上。
註意陽極A是接電源的正極，陰極K接電源的負極，控制極G通過按鈕開關SB接在3V直流電源的正極(這裏使用的是KP5型晶閘管，若采用KP1型，應接在1.5V直流電源的正極)。
晶閘管與電源的這種連接方式叫做正向連接，也就是說，給晶閘管陽極和控制極所加的都是正向電壓。
現在我們合上電源開關S，小燈泡不亮，說明晶閘管沒有導通；再按壹下按鈕開關SB，給控制極輸入壹個觸發電壓，小燈泡亮了，說明晶閘管導通了。
這說明要使晶閘管導通，壹是在它的陽極A與陰極K之間外加正向電壓，二是在它的控制極G與陰極K之間輸入壹個正向觸發電壓。
晶閘管導通後，松開按鈕開關，去掉觸發電壓，仍然維持導通狀態。
晶閘管的特點：是“壹觸即發”。
但是，如果陽極或控制極外加的是反向電壓，晶閘管就不能導通。
控制極的作用是通過外加正向觸發脈沖使晶閘管導通，卻不能使它關斷。
那麽，用什麽方法才能使導通的晶閘管關斷呢?使導通的晶閘管關斷，可以斷開陽極電源(圖3中的開關S)或使陽極電流小於維持導通的最小值(稱為維持電流)。
如果晶閘管陽極和陰極之間外加的是交流電壓或脈動直流電壓，那麽，在電壓過零時，晶閘管會自行關斷。
工作原理可控矽工作原理
可控矽是可控矽整流元件的簡稱,是壹種具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件，壹般由兩晶閘管反向連接而成.它的功用不僅是整流，還可以用作無觸點開關以快速接通或切斷電路，實現將直流電變成交流電的逆變，將壹種頻率的交流電變成另壹種頻率的交流電等等。
可控矽和其它半導體器件壹樣，其有體積小、效率高、穩定性好、工作可靠等優點。
它的出現，使半導體技術從弱電領域進入了強電領域，成為工業、農業、交通運輸、軍事科研以至商業、民用電器等方面爭相采用的元件。
晶閘管T在工作過程中，它的陽極A和陰極K與電源和負載連接，組成晶閘管的主電路，晶閘管的門極G和陰極K與控制晶閘管的裝置連接，組成晶閘管的控制電路，從晶閘管的內部分析工作過程：可控矽基本伏安特性
晶閘管是四層三端器件，它有J1、J2、J3三個PN結，可以把它中間的NP分成兩部分，構成壹個PNP型三極管和壹個NPN型三極管的復合管，當晶閘管承受正向陽極電壓時，為使晶閘管導銅，必須使承受反向電壓的PN結J2失去阻擋作用。
每個晶體管的集電極電流同時就是另壹個晶體管的基極電流。
因此，兩個互相復合的晶體管電路，當有足夠的門極電流Ig流入時，就會形成強烈的正反饋，造成兩晶體管飽和導通，晶體管飽和導通。
設PNP管和NPN管的集電極電流相應為Ic1和Ic2；發射極電流相應為Ia和Ik；電流放大系數相應為a1=Ic1/Ia和a2=Ic2/Ik，設流過J2結的反相漏電電流為Ic0，晶閘管的陽極電流等於兩管的集電極電流和漏電流的總和：Ia=Ic1
Ic2
Ic0或Ia=a1Ia
a2Ik
Ic0若門極電流為Ig,則晶閘管陰極電流為Ik=Ia
Ig從而可以得出晶閘管陽極電流為：I=(Ic0
Iga2)/（1-（a1
a2））（1—1）
矽PNP管和矽NPN管相應的電流放大系數a1和a2隨其發射極電流的改變而急劇變化如圖三所示。
當晶閘管承受正向陽極電壓，而門極未受電壓的情況下，式（1—1）中，Ig=0,(a1
a2)很小，故晶閘管的陽極電流Ia≈Ic0晶閘關處於正向阻斷狀態。
當晶閘管在正向陽極電壓下，從門極G流入電流Ig，由於足夠大的Ig流經NPN管的發射結，從而提高起點流放大系數a2，產生足夠大的極電極電流Ic2流過PNP管的發射結，並提高了PNP管的電流放大系數a1,產生更大的極電極電流Ic1流經NPN管的發射結。
這樣強烈的正反饋過程迅速進行。
當a1和a2隨發射極電流增加而（a1
a2）≈1時，式（1—1）中的分母1-（a1
a2）≈0,因此提高了晶閘管的陽極電流Ia，這時，流過晶閘管的電流完全由主回路的電壓和回路電阻決定。
晶閘管已處於正向導通狀態。
式（1—1）中，在晶閘管導通後，1-（a1
a2）≈0,即使此時門極電流Ig=0,晶閘管仍能保持原來的陽極電流Ia而繼續導通。
晶閘管在導通後，門極已失去作用。
在晶閘管導通後，如果不斷的減小電源電壓或增大回路電阻，使陽極電流Ia減小到維持電流IH以下時，由於a1和a1迅速下降，當1-（a1
a2）≈0時，晶閘管恢復阻斷狀態。
可控矽導通和關斷條件表狀態條件說明從關斷到導通1、陽極電位高於是陰極電位2、控制極有足夠的正向電壓和電流兩者缺壹不可維持導通1、陽極電位高於陰極電位2、陽極電流大於維持電流兩者缺壹不可從導通到關斷1、陽極電位低於陰極電位2、陽極電流小於維持電流任壹條件即可主要參數可控矽1、額定通態平均電流IT在壹定條件下，陽極---陰極間可以連續通過的50赫茲正弦半波電流的平均值。
2、正向阻斷峰值電壓VPF在控制極開路未加觸發信號，陽極正向電壓還未超過導能電壓時，可以重復加在可控矽兩端的正向峰值電壓。
可控矽承受的正向電壓峰值，不能超過手冊給出的這個參數值。
3、反向陰斷峰值電壓VPR當可控矽加反向電壓，處於反向關斷狀態時，可以重復加在可控矽兩端的反向峰值電壓。
使用時，不能超過手冊給出的這個參數值。
4、控制極觸發電流Ig1、觸發電壓VGT在規定的環境溫度下，陽極--陰極間加有壹定電壓時，可控矽從關斷狀態轉為導通狀態所需要的最小控制極電流和電壓。
5、維持電流IH在規定溫度下，控制極斷路，維持可控矽導通所必需的最小陽極正向電流。
參數符號說明IT()--通態平均電流VRRM--反向重復峰值電壓IDRM--斷態重復峰值電流ITSM--通態壹個周波不重復浪湧電流VTM--通態峰值電壓IGT--門極觸發電流VGT--門極觸發電壓IH--維持電流dv/dt--斷態電壓臨界上升率di/dt--通態電流臨界上升率Rthjc--結殼熱阻VISO--模塊絕緣電壓Tjm--額定結溫VDRM--通態重復峰值電壓IRRM--反向重復峰值電流IF()--正向平均電流主要用途可控矽
普通晶閘管最基本的用途就是可控整流。
大家熟悉的二極管整流電路屬於不可控整流電路。
如果把二極管換成晶閘管，就可以構成可控整流電路。
現在我畫壹個最簡單的單相半波可控整流電路。
在正弦交流電壓U2的正半周期間，如果VS的控制極沒有輸入觸發脈沖Ug，VS仍然不能導通，只有在U2處於正半周，在控制極外加觸發脈沖Ug時，晶閘管被觸發導通。
現在，畫出它的波形(c)及(d)，只有在觸發脈沖Ug到來時，負載RL上才有電壓UL輸出。
Ug到來得早，晶閘管導通的時間就早；Ug到來得晚，晶閘管導通的時間就晚。
通過改變控制極上觸發脈沖Ug到來的時間，就可以調節負載上輸出電壓的平均值UL。
在電工技術中，常把交流電的半個周期定為180°，稱為電角度。
這樣，在U2的每個正半周，從零值開始到觸發脈沖到來瞬間所經歷的電角度稱為控制角α；在每個正半周內晶閘管導通的電角度叫導通角θ。
很明顯，α和θ都是用來表示晶閘管在承受正向電壓的半個周期的導通或阻斷範圍的。
通過改變控制角α或導通角θ，改變負載上脈沖直流電壓的平均值UL，實現了可控整流。
結構和特性三極度可控矽
可控矽從外形上分主要有螺旋式、平板式和平底式三種，螺旋式的應用較多。
可控矽有三個電極---陽極（A）陰極（C）和控制極（G）。
它有管芯是P型導體和N型導體交叠組成的四層結構，***有三個PN結。
可控矽和只有壹個PN結的矽整流二極度管在結構上迥然不同。
可控矽的四層結構和控制極的引用，為其發揮“以小控大”的優異控制特性奠定了基礎。
在應用可控矽時，只要在控制極加上很小的電流或電壓，就能控制很大的陽極電流或電壓。
目前已能出電流容量達幾百安培以至上千安培的可控矽元件。
壹般把5安培以下的可控矽叫小功率可控矽，50安培以上的可控矽叫大功率可控矽。
可控矽為什麽其有“以小控大”的可控性呢？下面我們用圖表-27來簡單分析可控矽的工作原理。
首先，可以把從陰極向上數的第壹、二、三層看面是壹只NPN型號晶體管，而二、三四層組成另壹只PNP型晶體管。
其中第二、第三層為兩管交叠***用。
當在陽極和陰極之間加上壹個正向電壓Ea，又在控制極G和陰極C之間（相當BG1的基壹射間）輸入壹個正的觸發信號，BG1將產生基極電流Ib1，經放大，BG1將有壹個放大了β1倍的集電極電流IC1。
因為BG1集電極與BG2基極相連，IC1又是BG2的基極電流Ib2。
BG2又把比Ib2（Ib1）放大了β2的集電極電流IC2送回BG1的基極放大。
如此循環放大，直到BG1、BG2完全導通。
實際這壹過程是“壹觸即發”的過程，對可控矽來說，觸發信號加入控制極，可控矽立即導通。
導通的時間主要決定於可控矽的性能。
其次，可控矽壹經觸發導通後，由於循環反饋的原因，流入BG1基極的電流已不只是初始的Ib1，而是經過BG1、BG2放大後的電流（β1β2Ib1）這壹電流遠大於Ib1，足以保持BG1的持續導通。
此時觸發信號即使消失，可控矽仍保持導通狀態只有斷開電源Ea或降低Ea，使BG1、BG2中的集電極電流小於維持導通的最小值時，可控矽方可關斷。
當然，如果Ea極性反接，BG1、BG2由於受到反向電壓作用將處於截止狀態。
這時，即使輸入觸發信號，可控矽也不能工作。
反過來，Ea接成正向，而觸動發信號是負的，可控矽也不能導通。
另外，如果不加觸發信號，而正向陽極電壓大到超過壹定值時，可控矽也會導通，但已屬於非正常工作情況了。
可控矽這種通過觸發信號（小的觸發電流）來控制導通（可控矽中通過大電流）的可控特性，正是它區別於普通矽整流二極管的重要特征。
可控矽的種類可控矽可控矽有多種分類方法。
（壹）按關斷、導通及控制方式分類：可控矽按其關斷、導通及控制方式可分為普通可控矽、雙向可控矽、逆導可控矽、門極關斷可控矽（GTO）、BTG可控矽、溫控可控矽和光控可控矽等多種。
（二）按引腳和極性分類：可控矽按其引腳和極性可分為二極可控矽、三極可控矽和四極可控矽。
（三）按封裝形式分類：可控矽按其封裝形式可分為金屬封裝可控矽、塑封可控矽和陶瓷封裝可控矽三種類型。
其中，金屬封裝可控矽又分為螺栓形、平板形、圓殼形等多種；塑封可控矽又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種。
（四）按電流容量分類：可控矽按電流容量可分為大功率可控矽、中功率可控矽和小功率可控矽三種。
通常，大功率可控矽多采用金屬殼封裝，而中、小功率可控矽則多采用塑封或陶瓷封裝。
(五）按關斷速度分類：可控矽按其關斷速度可分為普通可控矽和高頻（快速）可控矽。
如何鑒別可控矽的三個極
普通可控矽的三個電極可以用萬用表歐姆擋R×100擋位來測。
大家知道，晶閘管G、K之間是壹個PN結(a)，相當於壹個二極管，G為正極、K為負極，所以，按照測試二極管的方法，找出三個極中的兩個極，測它的正、反向電阻，電阻小時，萬用表黑表筆接的是控制極G，紅表筆接的是陰極K，剩下的壹個就是陽極A了。
測試晶閘管的好壞，可以用剛才演示用的示教板電路。
接通電源開關S，按壹下按鈕開關SB，燈泡發光就是好的，不發光就是壞的。
鑒別可控矽三個極的方法很簡單，根據P-N結的原理，只要用萬用表測量壹下三個極之間的電阻值就可以。
陽極與陰極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上，陽極和控制極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上（它們之間有兩個P-N結，而且方向相反，因此陽極和控制極正反向都不通）。
控制極與陰極之間是壹個P-N結，因此它的正向電阻大約在幾歐-幾百歐的範圍，反向電阻比正向電阻要大。
可是控制極二極管特性是不太理想的，反向不是完全呈阻斷狀態的，可以有比較大的電流通過，因此，有時測得控制極反向電阻比較小，並不能說明控制極特性不好。
另外，在測量控制極正反向電阻時，萬用表應放在R10或R1擋，防止電壓過高控制極反向擊穿。
若測得元件陰陽極正反向已短路，或陽極與控制極短路，或控制極與陰極反向短路，或控制極與陰極斷路，說明元件已損壞。
可控矽是可控矽整流元件的簡稱，是壹種具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件。
實際上，可控矽的功用不僅是整流，它還可以用作無觸點開關以快速接通或切斷電路，實現將直流電變成交流電的逆變，將壹種頻率的交流電變成另壹種頻率的交流電，等等。
可控矽和其它半導體器件壹樣，其有體積小、效率高、穩定性好、工作可靠等優點。
它的出現，使半導體技術從弱電領域進入了強電領域，成為工業、農業、交通運輸、軍事科研以至商業、民用電器等方面爭相采用的元件。
常用封裝形式常用可控矽的封裝形式有TO-92、TO-126、TO-202AB、TO-220、TO-220AB、TO-、SOT-89、TO-251、TO-252等。
典型應用電路
(圖1)是壹種由繼電器J、電源（＋12V）、開關K1和微動開關K2組成的鎖存器電路。
當電源開關K1閉合時，因J回路中的開關K2和其觸點J－1是斷開的，繼電器J不工作，其觸點J－2也未閉合，所以電珠L不亮。
壹旦人工觸動壹下K2，J得電激活，對應的觸點J－1、J－2閉合，L點亮。
此時微動開關K2不再起作用（已自鎖）。
要使電珠L熄滅，只有斷開電源開關K1使繼電器釋放，電珠L才會熄滅。
該電路具有鎖存器（J－1自鎖）的功能。
(圖2)電路是用單向可控矽SCR代替圖1中的繼電器J，仍可完成圖1的鎖存器功能，即開關K1閉合時，電路不工作，電珠L不亮。
當觸動壹下微動開關K2時，SCR因電源電壓通過R1對門極加電而被觸發導通且自鎖，L點亮，此時K2不再起作用，要使L熄滅，只有斷開K1。
圖2電路也具有鎖存器的功能。
典型應用電路主要生產廠家主要廠家品牌：ST，NXP/PHILIPS，NEC，ON/MOTOROLA，RENESAS/MITSUBISHI，LITTELFUSE/TECCOR，TOSHIBA，JX，SANREX，SANKEN，SEMIKRON，EUPEC，IR，JBL等。
術語IT()--通態平均電流VRRM--反向重復峰值電壓IDRM--斷態重復峰值電流ITSM--通態壹個周波不重復浪湧電流VTM--通態峰值電壓IGT--門極觸發電流VGT--門極觸發電壓IH--維持電流dv/dt--斷態電壓臨界上升率di/dt--通態電流臨界上升率Rthjc--結殼熱阻ⅥSO--模塊絕緣電壓Tjm--額定結溫VDRM--通態重復峰值電壓IRRM--反向重復峰值電流IF()--正向平均電流PGM--門極峰值功率PG----門極平均功率延伸閱讀1、柵極上的噪聲電平
在有電噪聲的環境中，如果柵極上的噪聲電壓超過VGT，並有足夠的柵電流激發可控矽(晶閘管)內部的正反饋，則也會被觸發導通。
應用安裝時，首先要使柵極外的連線盡可能短。
當連線不能很短時，可用絞線或屏蔽線來減小幹擾的侵入。
在然後G與MT1之間加壹個1KΩ的電阻來降低其靈敏度，也可以再並聯壹個100nf的電容，來濾掉高頻噪聲。
2、關於轉換電壓變化率
當驅動壹個大的電感性負載時，在負載電壓和電流間有壹個很大的相移。
當負載電流過零時，雙向可控矽(晶閘管)開始換向，但由於相移的關系，電壓將不會是零。
所以要求可控矽(晶閘管)要迅速關斷這個電壓。
如果這時換向電壓的變化超過允許值時，就沒有足夠的時間使結間的電荷釋放掉，而使雙向可控矽(晶閘管)回到導通狀態。
為了克服上述問題，可以在端子MT1和MT2之間加壹個RC網絡來電壓的變化，以防止誤觸發。
壹般，電阻取100R，電容取100nF。
值得註意的是此電阻不能省掉。
3、關於轉換電流變化率
當負載電流增大，電源頻率的或電源為非正弦波時，會使轉換電流變化率變高，這種情況最易在感性負載的情況下發生，很容易導致器件的損壞。
此時可以在負載回路中串聯壹只幾毫亨的空氣電感。
4、關於可控矽開路電壓變化率DVD/DT
在處於截止狀態的雙向可控矽(晶閘管)兩端加壹個小於它的VDFM的高速變化的電壓時，內部電容的電流會產生足夠的柵電流來使可控矽(晶閘管)導通。
這在高溫下尤為嚴重，在這種情況下可以在MT1和MT2間加壹個RC緩沖電路來VD/DT，或可采用高速可控矽(晶閘管)。
5、關於連續峰值開路電壓VDRM
在電源不正常的情況下，可控矽(晶閘管)兩端的電壓會超過連續峰值開路電壓VDRM的最大值，此時可控矽(晶閘管)的漏電流增大並擊穿導通。
如果負載能允許很大的浪湧電流，那麽矽片上局部的電流密度就很高，使這壹小部分先導通。
導致芯片燒毀或損壞。
另外白熾燈，容性負載或短路保護電路會產生較高的浪湧電流，這時可外加濾波器和鉗位電路來防止尖峰（毛刺）電壓加到雙向可控矽(晶閘管)上。