晶閘管的靜態特性

晶閘管的靜態特性：當晶閘管承受反向電壓時，不論門極是否有觸發電流，晶閘管都不會導通。

壹、正常工作時的特性

1.當晶閘管承受反向電壓時，不論門極是否有觸發電流，晶閘管都不會導通。

2.當晶閘管承受正向電壓時，僅在門極有觸發電流的情況下晶閘管才能開通。

3.晶閘管壹旦導通，門極就失去控制作用，不論門極觸發電流是否還存在，晶閘管都保持導通。

4.若要使已導通的晶閘管關斷，只能利用外加電壓和外電路的作用使流過晶閘管的電流降到接近於零的某壹數值以下。

二、晶閘管的伏安特性

正向特性：

1.當IG=0時，如果在器件兩端施加正向電壓，則晶閘管處於正向阻斷狀態，只有很小的正向漏電流流過。

2.如果正向電壓超過臨界極限即正向轉折電壓Ubo，則漏電流急劇增大，器件開通。

3.隨著門極電流幅值的增大，正向轉折電壓降低，晶閘管本身的壓降很小，在1V左右。

4.如果門極電流為零，並且陽極電流降至接近於零的某壹數值IH以下，則晶閘管又回到正向阻斷狀態，IH稱為維持電流。

反向特性：

1.其伏安特性類似二極管的反向特性。

2.晶閘管處於反向阻斷狀態時，只有極小的反向漏電流通過。

3.當反向電壓超過壹定限度，到反向擊穿電壓後，外電路如無限制措施，則反向漏電流急劇增大，導致晶閘管發熱損壞。

晶閘管（Thyristor）是晶體閘流管的簡稱，又可稱做可控矽整流器，以前被簡稱為可控矽。

晶閘管是PNPN四層半導體結構，它有三個極：陽極，陰極和門極；晶閘管工作條件為：加正向電壓且門極有觸發電流；其派生器件有：快速晶閘管，雙向晶閘管，逆導晶閘管，光控晶閘管等。它是壹種大功率開關型半導體器件，在電路中用文字符號為“V”、“VT”表示（舊標準中用字母“SCR”表示）。

晶閘管具有矽整流器件的特性，能在高電壓、大電流條件下工作，且其工作過程可以控制、被廣泛應用於可控整流、交流調壓、無觸點電子開關、逆變及變頻等電子電路中。