微波合成的傳統駐波單模限制
傳統駐波單模技術已有30年的歷史，其特點是單通道單向高密度耦合，但單模能量界面直徑為2.5cm，腔體體積只有30mL，只能放入10-15ml容器，大於20mL易失去微波場平衡，導致耦合位置排斥，影響單模耦合的壹致性。另壹個缺點是單模功率受腔體限制，因高密度小體積極易產生瞬間泄漏和過強量熱耦合損壞反應物，從而造成研究失敗。控制精度隨功率提高迅速降低，單模精度±3-9W。總之單模小腔體限制擴大反應、加氣反應、機械攪拌、循環回流、連續流動和低溫反應能力。
傳統駐波單模技術已有30年的歷史，其特點是單通道單向高密度耦合，但單模能量界面直徑為2.5cm，腔體體積只有30mL，只能放入10-15ml容器，大於20mL易失去微波場平衡，導致耦合位置排斥，影響單模耦合的壹致性。另壹個缺點是單模功率受腔體限制，因高密度小體積極易產生瞬間泄漏和過強量熱耦合損壞反應物，從而造成研究失敗。控制精度隨功率提高迅速降低，單模精度±3-9W。總之單模小腔體限制擴大反應、加氣反應、機械攪拌、循環回流、連續流動和低溫反應能力。