HY57V561620 HY57V641620區別 芯片命名原則是什麽 好多芯片就差幾個數字而已 功能有什麽差別嗎
答：韓國Hynix（海力士）原來是現代（Hyundai）公司所屬的壹個內存生產廠，當時生產的內存顆粒編號都是以“HY”為前綴的。後來Hynix成了壹個獨立的內存生產廠，其顆粒編號也改為以“H”為前綴了。因此，壹般把以“HY”為前綴的內存顆粒稱為“現代”內存；而把以“H”為前綴的顆粒成為“海力士”內存。其實都是Hynix的產品。
以“HY5”為前綴的內存顆粒都是比較早期的內存，在計算機用的內存中，DDR2和DDR3內存沒有再使用“HY”為前綴為編號。但是，在Consumer Memory(用於電視機機頂盒或攝像機等用的內存)中，仍然繼續使用了壹段時間。2007年決定所有海力士內存的前綴都用“H”代換“HY”。現在舉例說明以“HY5”為前綴的內存的命名方法，見下表所示（根據廠家網站資料，按我的理解歸類的）。
以“HY5”為前綴的海力士內存顆粒的編號規律
含義 類型 電壓 密度 位寬 BANK 接口 版本 功耗 封裝 - 速度 溫度
SDRAM HY57 V 56 8 2 0 F TP - 10s
SDRAM HY57 V 65 16 2 0 A TC - 75
DDR1 HY5D U 56 8 2 2 D TP - D43
DDR1 HY5D U 12 4 2 2 B L T - M
註；其中的速度，對SDRAM來說：5:5ns(200MHz)；6: 6ns(166MHz)；75: 7.5ns(133MHz)；
K: PC133, CL2；H: PC133, CL3；P: PC100, CL2；S: PC100, CL3；10: 10ns(100MHz)；
15: 15ns(66MHz)。
對DDR來說：有過變動，“D4”代表DDR400，時序為3-4-4；“D43”代表DDR400，時序為3-3-3；“J”代表DDR333；“M”、“K”和“H”都代表DDR266，只是時序不同；“L”代表DDR200；“4”代表250MHz；“5”代表200MHz。
其他項的解釋：
類型：“HY”現代的意思；“5”和“57”都代表SDRAM內存；“5D”代表DDR1內存；
電壓：是指處理工藝和供電電壓（PROCESS & POWER SUPPLY）：對SDRAM和DDR1：
空白是5V;“V”代表CMOS,3.3V；“U”代表CMOS,2.5V；
密度：是指顆粒密度和刷新速度（DENSITY & REFRESH）：
對SDRAM來說，“64”和“65”都是64Mb;“26”和“28”都是128Mb；“56”和“52”都是256Mb。
對DDR1來說，“28”是128Mb；“56”是256Mb;“12”是512Mb 。
根據密度和模組顆粒數就可以知道模組的容量。例如，密度標以“12”時，如果有8個顆粒，模組容量就是512MB；如果有16個顆粒，容量就是1GB。
位寬：是指顆粒的位寬（datawidth）：
“4”代表“×4”；“8”代表“×8”;“16”代表“×16”；“32”代表“×32”。
BANK：是指每個顆粒的邏輯BANK數。“1”代表2BANK；“2”代表4BANK；“3”代表8BANK。
接口：是指顆粒的電氣接口（Interface）。“0”代表LVTTL;“1”代表SSTL;“2”代表SSTL_2；
版本：是指顆粒出廠的版本。空白代表第1版；二版後依次用A、B、C、D等表示；
功耗：是指功率消耗（Power consumption）。空白表示正常耗電；“L”表示低功耗；
封裝：芯片發封裝方法（Package）。TC：400mil TSOPII；JQ:100Pin-TQFP；
速度；速度（speed）是指顆粒的頻率，說明見表註。
溫度：溫度（Temperature），“I”是工業溫度；“E”是擴展溫度。但是，在編號中經常沒有這壹項。