國產5nm光刻技術不存在？中科院緊急辟謠：國產只有180nm
其實光刻機之所以這麽難造，就是因為光刻技術實在是太復雜了，不僅需要頂尖的光源條件，還對精度有著近乎苛刻的要求。目前，全球光刻技術市場基本上被美日兩國壟斷了，而我們國內正在努力攻克其中的技術難點。
那麽光刻到底是壹項怎樣的工作呢？為什麽能難倒這麽多國家？大家都知道，芯片的襯底是半導體晶圓，而光刻就是在晶圓上制備芯片的第壹步。在光刻過程中，有壹項非常重要的材料，名為光掩膜，沒有它也就無法將集成電路刻畫在晶圓上。
而且光掩膜也有高中低端的層次之分，通過高端光掩膜生產出的芯片更加先進，而低端的就只能用於生產普通芯片了。顯然，高端光掩膜也是各個國家青睞的對象，但是這種材料的制備難度非常高，如果精度達不到要求，那麽想要突破絕非易事！
就目前的情況來看，國內在光掩膜市場還對國外進口存在壹定的依賴，但是隨著中科院的突破，這種依賴正在慢慢減輕，以後將會徹底消失。那麽如今國內的光刻技術到底達到了何種水平呢？
在討論這個問題之前，我們先來看看中科院傳出的消息，它被很多人過分甚至是錯誤解讀了。今年7月份，中科院發表了壹篇論文，研究內容是5nm光刻制備技術，而大部分人都以為這標誌著中科院突破到了最先進的5nm極紫外光刻技術。
但是事實卻並非如此，據後來該論文的通訊作者劉前在接受媒體采訪時表示，中科院研究的5nm光刻制備技術針對的是光掩膜的生產，而不是光刻機用到的極紫外光。也就是說，中科院發表論文不等同於國產光刻機技術達到了5nm水平。
對此，很多國人都在想，難道國產5nm光刻技術不存在？從某種意義上來說，現在這個問題的答案是肯定的，國產5nm確實還遙遙無期。此外，中科院緊急辟謠：5nm光刻技術根本不現實，國產水平只有180nm！
從5nm壹下子掉到180nm，這個落差讓很多人都接受不了。但需要知道的是，180nm才是國產光刻機技術的真實水平，就算不願意承認，也必須得面對。如果連自身的不足之處都無法面對，那麽何談攻克技術難題？何談突破？
毫無疑問，180nm還處於比較落後的狀態，這也是國產芯片遲遲無法崛起的主要原因。光刻技術作為光刻機的核心動力，我們國內肯定不會輕易放棄，現在是180nm不代表以後也是180nm，現在無法突破到5nm也不代表以後突破不了！
所以說，我們應該對國產技術和半導體芯片充滿信心，只有相信自己，才能不斷地自我突破。而且最近壹段時間，國內傳來了很多好消息，光刻技術也不急於壹時。
舉個簡單的例子，華為旗下的海思半導體正在轉型為IDM模式的企業，不僅要掌握芯片設計技術，還準備進軍芯片制造市場，成為像三星那樣的巨頭。此外，華為也宣布了全面布局光刻機的決定，有了它的加入，國產光刻技術將迎來更大的希望！
壹項技術就算再難也有壹定的限度，但是科研人員的智慧是無限的，所以在國內這麽多科研工作者的***同努力下，再難的技術都會被攻克，光刻和光刻機也不例外。相信以後國內壹定能實現技術崛起的目標，取得領先的地位！
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