電磁爐配件igbt是什麽，有什麽作用？

妳好，絕緣柵雙極晶體管(IusulatedGateBipolarTransistor)簡稱IGBT,是壹種集BJT的大電流密度和MOSFET等電壓激勵場控型器件優點於壹體的高壓、高速大功率器件。

目前有用不同材料及工藝制作的IGBT,但它們均可被看作是壹個MOSFET輸入跟隨壹個雙極型晶體管放大的復合結構。

IGBT有三個電極(見上圖),分別稱為柵極G(也叫控制極或門極)、集電極C(亦稱漏極)及發射極E(也稱源極)。

從IGBT的下述中可看出,它克服了功率MOSFET的壹個致命缺陷,就是於高壓大電流工作時,導通電阻大,器件發熱嚴重,輸出效率下降。

IGBT的作用:

1.電流密度大,是MOSFET的數十倍。

2.輸入阻抗高,柵驅動功率極小,驅動電路簡單。

3.低導通電阻。在給定芯片尺寸和BVceo下,其導通電阻Rce(on)不大於MOSFET的Rds(on)的10%。

4.擊穿電壓高,安全工作區大,在瞬態功率較高時不會受損壞。

5.開關速度快,關斷時間短,耐壓1kV~1.8kV的約1.2us、600V級的約0.2us,約為GTR的10%,接近於功率MOSFET,開關頻率直達100KHz,開關損耗僅為GTR的30%。

IGBT將場控型器件的優點與GTR的大電流低導通電阻特性集於壹體,是極佳的高速高壓半導體功率器件。