半導體是根據什麽分類的？

壹、N型半導體

N型半導體也稱為電子型半導體，即自由電子濃度遠大於空穴濃度的雜質半導體。

形成原理

摻雜和缺陷均可造成導帶中電子濃度的增高. 對於鍺、矽類半導體材料，摻雜Ⅴ族元素，當雜質原子以替位方式取代晶格中的鍺、矽原子時，可提供除滿足***價鍵配位以外的壹個多余電子，這就形成了半導體中導帶電子濃度的增加。

二、P型半導體

P型半導體壹般指空穴型半導體，是以帶正電的空穴導電為主的半導體。

形成

在純凈的矽晶體中摻入三價元素（如硼），使之取代晶格中矽原子的位置，就形成P型半導體。在P型半導體中，空穴為多子，自由電子為少子，主要靠空穴導電。由於P型半導體中正電荷量與負電荷量相等，故P型半導體呈電中性。空穴主要由雜質原子提供，自由電子由熱激發形成。

擴展資料

在這類半導體中，參與導電的 (即導電載體) 主要是帶負電的電子，這些電子來自半導體中的施主。凡摻有施主雜質或施主數量多於受主的半導體都是N型半導體。例如，含有適量五價元素砷、磷、銻等的鍺或矽等半導體。?

由於N型半導體中正電荷量與負電荷量相等，故N型半導體呈電中性。自由電子主要由雜質原子提供，空穴由熱激發形成。摻入的雜質越多，多子（自由電子）的濃度就越高，導電性能就越強。

百度百科-N型半導體

百度百科-空穴型半導體