陶瓷基片的發展方向
隨著微電子技術的進步，微加工工藝的特征線寬已達亞微米級，壹塊基板上可以集成106～109個以上元件，電路工作的速度越來越快、頻率越來越高，這對基板材料的性能提出了更高的要求。作為混合集成電路（HIC）和多芯片組件（MCM）的關鍵材料之壹，基板占其總成本的60%左右。陶瓷基板發展的總方向是低介電常數、高熱導率和低成本化。
目前，實際生產和開發應用的陶瓷基片材料有Al2O3、AlN、SiC、BeO、BN、莫來石和玻璃陶瓷等。其中，BeO和SiC熱導率很高（³250W/m.K），但BeO因具有毒性，應用範圍小，故產量低；SiC因體積電阻較小（<1013W·cm）、介電常數較大（40）、介電損耗較高（50），不利於信號的傳輸，且成型工藝復雜、設備昂貴，故應用範圍也很小；AlN陶瓷基片是新壹代高性能陶瓷基片，具有很高的熱導率（理論值為319W/m.K，商品化的AlN基片熱導率大於140W/m.k）、較低的介電常數（8.8）和介電損耗（～4×104）、以及和矽相配比的熱膨脹系數（4.4×10－4/℃）等優點，但由於成本居高，壹直沒能大規模應用；Al2O3陶瓷基片雖然熱導率不高（20W/m.K），但因其生產工藝相對簡單，成本較低，價格便宜，成為目前最廣泛應用的陶瓷基片。