半導體裏的 PVD工藝裏分別有使用 IMP Ti 和 DS Ti靶材 IMP 和 DS 是什麽意思?

在半導體制程中的PVD（Physical Vapor Deposition，物理氣相沈積）工藝中，IMP和DS分別表示不同的沈積技術：

1. IMP：即Ionized Metal Plasma（離子化金屬等離子體），這是壹種利用等離子體對金屬靶材進行濺射沈積的技術。通過將濺射的金屬離子進壹步激發形成高密度的等離子體，使得沈積過程更加有效和均勻，適用於制造高質量的薄膜。

2. DS：即Direct Sputter（直接濺射），這是壹種傳統的濺射沈積技術，通過將靶材置於真空環境中，利用高能離子轟擊靶材表面，使其原子或分子以蒸發或濺射的形式沈積在基片上形成薄膜。