igbt工作原理和作用
IGBT的工作原理是通過加正柵電壓來形成溝道，為PNP晶體管提供基極電流，使其導通。IGBT是結合了雙極型三極管和絕緣柵型場效應管的優點，具有高輸入阻抗和低導通壓降的特性。與GTR和MOSFET相比，IGBT具有驅動功率小、飽和壓降低、載流密度大的優點，適用於600V及以上的變流系統，廣泛應用於交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。
IGBT的工作原理是通過加正柵電壓來形成溝道，為PNP晶體管提供基極電流，使其導通。IGBT是結合了雙極型三極管和絕緣柵型場效應管的優點，具有高輸入阻抗和低導通壓降的特性。與GTR和MOSFET相比，IGBT具有驅動功率小、飽和壓降低、載流密度大的優點，適用於600V及以上的變流系統，廣泛應用於交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。