中國攻克最先進128層閃存：它到底強在哪？何時能跟三星掰手腕？
芯片分為存儲芯片和非存儲芯片，其中存儲芯片的種類很多，按用途可分為主存儲芯片和輔助存儲芯片。前者又稱內存儲芯片（內存），可以與CPU直接交換數據，速度快、容量小、價格高。後者為外存儲芯片（外存），指除內存及緩存以外的儲存芯片。此類儲存芯片壹般斷電後仍然能保存數據，速度慢、容量大、價格低。
存儲芯片中最為重要的要屬DRAM（內存）和NAND flash（閃存），2018年，中國進口了3120億美元的芯片（為中國進口金額最高的物品超過石油），其中存儲芯片占集成電路進口金額的39%，達到1230.6億美元。這1230.6億美元的存儲芯片中，高達97%的是DRAM和FLASH。
1968年，登納德則在經過長時間研究後，終於發明了可存儲少許數據、基於單晶體管設計的存儲單元。此後，內存芯片的壟斷從美國到日本再到如今的韓國，三星、美光以及海力士總***占據全球DRAM芯片市場份額的96% 。
而1984年東芝的舛岡富士雄首先提出了快速閃存存儲器ULSI的概念，然而東芝並沒有重視，英特爾先行將其發展起來。舛岡富士雄並不服氣，在1987年又提出NAND的概念，並且和10位各具特色的同事***同研發，僅3年時間就獲得成功。
如今閃存技術已經發展26年，被美日韓三國的三星、東芝、美光、海力士、英特爾五家企業壟斷。
這些企業掌握了內存和閃存的定價權，隨意操縱價格，2010年的時候，三星等企業非法操縱閃存價格更是遭遇歐美高價罰款。
目前，主流的閃存技術是3D NADA，3D NAND是壹種新興的閃存類型，通過把存儲單元堆疊在壹起來解決2D或平面NAND閃存帶來的限制。
普通的NAND是平房，那麽3D NAND就是高樓大廈，建築面積壹下子變多了，理論上來講可以無限堆疊。
層數的增加也就意味著對工藝、材料的要求會提高。而且在堆疊層數增加的時候，存儲堆棧的高度也在增大，然而每層的厚度卻在縮小。
每升級壹次堆棧厚度都會變成原來的1.8倍，而層厚度會變成原來的0.86倍。
在2016年前，中國在存儲芯片市場為0，所以極易被國外卡脖子。這個時候，紫光集團成立了長江存儲，來攻克閃存技術。
從2016年開始努力，到2017年11月，紫光集團花費了10億美元，整整1000人的研發團隊花費2年時間研發成功首款國產32層3D NAND存儲芯片。這標誌著中國存儲芯片實現了0的起步。
2019年5月，紫光成功研發了64層堆棧閃存芯片，與三星的96層堆棧只有1代的差距，要知道，2018年64層堆棧3D NAND閃存才大規模量產。
三星、東芝等閃存大廠按照產品規劃，在2020年將量產128層堆棧閃存，紫光卻跳過了96層的研發，直接攻關128層閃存。
2020年4月13日，長江存儲科技有限責任公司宣布其128層QLC 3D NAND 閃存（型號：X2-6070）研發成功，並已在多家控制器廠商SSD等終端存儲產品上通過驗證，領先了三星等企業。
長江存儲X2-6070是業內首款128層QLC規格的3D NAND閃存，擁有業內已知型號產品中最高單位面積存儲密度，最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND 閃存芯片容量。
此次同時發布的還有128層512Gb TLC（3 bit/cell）規格閃存芯片（型號：X2-9060），單顆容量512Gb(64GB)，以滿足不同應用場景的需求。
根據Techinsihts的3D閃存路線圖及廠商的資料，三星的110+層（有128、136不同水平的）3D閃存核心容量可以做到QLC 1Tb，美光的128層、SK海力士的128層、Intel的144層QLC閃存也是1Tb核心容量，東芝/西數的112層BiCS 5技術的閃存堆棧可以做到QLC 1.33Tb容量，是此前已知最高的。
從容量上來說，長江存儲的X2-6070 QLC閃存與東芝/西數同級，比其他家的要高出33%。
除了容量之外，還要看性能，IO速度上X2-6070是1600Mbps，而三星的128層閃存速度是1200Mbps，西數、東芝的也是1200Mbps，其他家的IO速度沒有確切數據，估計也在1200Mbps左右。
所以在IO性能上，長江存儲的X2-6070閃存也是第壹，這點比其他廠商是要領先的，從技術指標上來說，長江存儲的X2-6070閃存是國產閃存首次進入第壹梯隊，而且同時在容量、密度及性能上領先，意義重大。
這也是中國首次在閃存規格上超過三星等內存大廠，標誌著中國打破了美日韓在閃存市場上的定價權。
自所以紫光在閃存規格上可以和其他閃存大廠處於同壹梯隊，是因為紫光還自研了Xtacking結構的3D NAND閃存技術，該技術將為3D NAND閃存帶來前所未有的I/O高性能，更高的存儲密度，以及更短的產品上市周期。
采用Xtacking，可在壹片晶圓上獨立加工負責數據I/O及記憶單元操作的外圍電路。這樣的加工方式有利於選擇合適的先進邏輯工藝，以讓NAND獲取更高的I/O接口速度及更多的操作功能。存儲單元同樣也將在另壹片晶圓上被獨立加工。當兩片晶圓各自完工後，創新的Xtacking技術只需壹個處理步驟就可通過數百萬根金屬VIA(Vertical Interconnect Accesses，垂直互聯通道)將二者鍵合接通電路，而且只增加了有限的成本。
2019年，長江存儲再次升級了Xtacking技術，發布了Xtacking2.0，將進壹步提升進壹步提升NAND吞吐速率、提升系統級存儲的綜合性能。
當然了，雖然我們打破了美日韓在芯片市場的定價權，但是紫光還需要提高產能才能實現自給自足，紫光的量產64層堆棧3D閃存，容量256Gb，TLC芯片，到2020年底，產能每月也才6萬片，與全球閃存芯片每月產能約為130萬片晶圓相比，今年內國產閃存的產能占比不過3%而已。
三星、東芝、美光等公司今年在128層級別的3D閃存上，生產進度及產能上依然是領先的，
目前，紫光要在2021年才能徹底趕上其他閃存大廠的產能，希望到時候國內企業可以支持我們自己研發的閃存芯片。
另外，紫光目前也在攻關內存芯片，除了紫光，合肥長鑫也在攻關內存芯片，合肥長鑫為了減少美國制裁威脅，它們重新設計了DRAM芯片，以盡量減少對美國原產技術的使用。
隨著紫光集團和合肥長鑫的雙拳齊出，中國在也不需要在存儲芯片領域看西方的眼色了。在半導體領域，中國會慢慢發展，從而構建屬於我們的半導體生態。