三星8nm工藝和臺積電7nm工藝有什麽區別？
三星8nm工藝和臺積電7nm工藝區別為：溝道長度不同、單位密度不同、功耗不同。
壹、溝道長度不同
1、三星8nm工藝：三星8nm工藝的芯片中晶體管的溝道長度比臺積電7nm工藝的芯片中晶體管的溝道長度要短。
2、臺積電7nm工藝：臺積電7nm工藝的芯片中晶體管的溝道長度比三星8nm工藝的芯片中晶體管的溝道長度要長。
二、單位密度不同
1、三星8nm工藝：三星8nm工藝所能達到的單位密度比臺積電7nm工藝所能達到的單位密度要高。
2、臺積電7nm工藝：臺積電7nm工藝所能達到的單位密度比三星8nm工藝所能達到的單位密度要低。
三、功耗不同
1、三星8nm工藝：三星8nm工藝的芯片功耗比臺積電7nm工藝的芯片功耗要高。
2、臺積電7nm工藝：臺積電7nm工藝的芯片功耗比三星8nm工藝的芯片功耗要低。