上汽大眾完成碳化矽“三合壹”電橋試制 未來將搭載ID.4 X
易車訊?近日，上汽大眾官方宣布完成碳化矽“三合壹”電橋試制，未來將搭載在ID.4 X車型上。這項技術將有效提升車輛的續航水平。
碳化矽（Silicon Carbide, 縮寫為SiC）是行業內公認的下壹代電驅動產品的核心技術之壹。憑借碳化矽材料本身高效、高頻、高溫的特性，碳化矽技術能夠使電驅動系統效率更高，損耗更低，重量更輕，結構更緊湊。
上汽大眾驅動系統部門在2021年3月正式立項，開發壹款MEB平臺的碳化矽“三合壹”電橋產品。項目組在完成碳化矽材料和功率模塊調研後，決定與國內領先的碳化矽功率半導體模塊供應商“臻驅科技”合作，加快開發進程。6月底，項目組完成了碳化矽電控部分的產品設計和開發。7-11月，項目組在公司內部臺架上獨立完成了碳化矽 “三合壹”電橋的集成試制和測試。12月，經過數月的測試、叠代和驗證，該產品亮相“上汽大眾預研技術展示日”。
根據臺架測試結果，這壹款大眾品牌首套碳化矽電橋電驅產品不僅匹配MEB平臺各方面的嚴格技術需求，而且效率對比目前電驅產品有了全方面提升。
其中，碳化矽電控的最高效率達到99.9%，未來搭載碳化矽技術的ID.4 X車型可以提升4.5%續航裏程。這款碳化矽電橋在能耗方面每百公裏節省了0.645 度電，而在EMC方面的測試結果也不遜色，很多分項成績甚至實現了反超。