PECVD是什麽

PECVD--等離子體化學氣相沈積法

為了使化學反應能在較低的溫度下進行，利用了等離子體的活性來促進反應，因而這種CVD稱為等離子體增強化學氣相沈積(PECVD).

實驗機理：

輝光放電等離子體中：電子密度高 (109~1012/cm3)

電子氣溫度比普通氣體分子溫度高出10-100倍

雖環境溫度(100-300℃)，但反應氣體在輝光放電等離子體中能受激分解，離解和離化，從而大大提高了參與反應物的活性。

因此，這些具有高反應活性的中性物質很容易被吸附到較低溫度的基本表面上，發生非平衡的化學反應沈積生成薄膜。

優點：基本溫度低；沈積速率快；

成膜質量好，針孔少，不易龜裂。

缺點：1.設備投資大、成本高，對氣體的純度要求高；

2.塗層過程中產生的劇烈噪音、強光輻射、有害氣體、金屬蒸汽粉塵等對人體有害；

3.對小孔孔徑內表面難以塗層等。

例子：在PECVD工藝中由於等離子體中高速運動的電子撞擊到中性的反應氣體分子，就會使中性反應氣體分子變成碎片或處於激活的狀態容易發生反應。襯底溫度通常保持在350℃左右就可以得到良好的SiOx或SiNx薄膜，可以作為集成電路最後的鈍化保護層，提高集成電路的可靠性。