晶體管是誰發明的？
晶體管是肖克利、巴丁和布拉頓組成的研究小組發明的。
1947年12月，美國貝爾實驗室的肖克利、巴丁和布拉頓組成的研究小組，研制出壹種點接觸型的鍺晶體管。晶體管的問世，是20世紀的壹項重大發明，是微電子革命的先聲。晶體管出現後，人們就能用壹個小巧的、消耗功率低的電子器件，來代替體積大、功率消耗大的電子管了。
晶體管的發明又為後來集成電路的誕生吹響了號角。20世紀最初的10年，通信系統已開始應用半導體材料。20世紀上半葉，在無線電愛好者中廣泛流行的礦石收音機，就采用礦石這種半導體材料進行檢波。半導體的電學特性也在電話系統中得到了應用。
三端子晶體管主要分為兩大類：
雙極性晶體管（BJT）和場效應晶體管（FET，單極性）。晶體管有三個極（端子）；雙極性晶體管的三個極（端子），分別是由N型、P型半導體組成的發射極（Emitter）、基極(Base) 和集電極（Collector）；場效應晶體管的三個極（端子），分別是源極（Source）、柵極（Gate）和漏極（Drain）。
晶體管因為有三個電極，所以也有三種的使用方式，分別是發射極接地（又稱***射放大、CE組態）、基極接地（又稱***基放大、CB組態）和集電極接地（又稱***集放大、CC組態、發射極隨耦器）。
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