碳化矽襯底怎麽拋光？
1. 碳化矽具有極高的硬度,普通的機械拋光很難實現其表面平整。壹般需要采用化學機械拋光法,也稱CMP。
2. CMP拋光液主要由氧化劑、拋光粒子、pH緩沖液等組成。常用的拋光粒子有二氧化矽、氧化鈰等。
3. 拋光過程中,拋光墊與襯底間形成的化學反應和機械磨削協同作用,使矽碳化物表面逐步平整。
4. 主要控制拋光壓力、轉速、拋光液流量等參數,最終獲得表面粗糙度小於1nm的鏡面級拋光表面。
5. CMP拋光後通常需要進行清洗,去除表面殘留的拋光液等,避免影響後續工藝。