請問LED從外延到芯片到封裝的詳細工藝流程和圖列，最佳答案懸賞20分。
led磊晶制程：
pss基板---MOCVD---磊晶半成品---量測
中端制程：
1、有機清洗
使用機臺：wet?bench；氮氣槍
1.?ACE：用有機溶劑去除有機物汙染
2.?IPA：利用IPA?和ACE?及水都能完全互溶的特性，達到能完全洗凈的狀況(通常汙染源都是從IPA?來的)。
3.?QDR?(Quick?DI-water?Rinse)?：利用快速的去離子水帶走晶片上附著的物質。
4.?吹乾：利用氮氣槍吹乾晶片。
5.?去水烤(120℃/10min)：防止水氣殘留影響鍍膜品質。
2、去光阻
1.?ACE：用有機溶劑去除光阻
2.?IPA：利用IPA?和ACE?及水都能完全互溶的特性，達到能完全洗凈的狀況。
3.?QDR?(Quick?DI-water?Rinse)?：利用快速的去離子水帶走晶片上附著的物質。
4.?吹乾：利用氮氣槍吹乾晶片。
5.?去水烤(120℃/10min)：防止水氣殘留影響鍍膜品質。
各區簡介
3、MESA?段
1.?沈積?ITO
使用機臺：ITO?蒸鍍機沈積物：ITO(氧化銦錫)
規格：?3750A(倍強)，2600A(富臨)
量測須穿透率達97%?以上， 阻值?10Ω以下檢查重點：是否乾凈、是否有水痕或不明殘留、小黑點
4、Mesa?黃光
使用機臺：Spin?coater，oven，aligner
沈積物：正光阻
程序：?上光阻?軟烤?曝光?顯影?檢查?硬烤
檢查重點：切割道是否乾凈、圖形是否完整、光罩(產品)型號是否正確
5、MESA?蝕刻
使用機臺：wet?bench 使用溶液：ITO?蝕刻液(鹽酸+氯化鐵)---蝕刻ITO條件：55℃/?50sec
程序：?確認溫度及秒數?蝕刻?水洗?檢查
檢查重點：是否有側蝕、切割道是否乾凈、圖形是否完整
6、乾蝕刻
使用機臺：ICP
蝕刻深度：12000~18000A(含ITO)
7、去?PR?mask?
使用機臺：wet?bench 使用溶液：SF-M15?(LT-420)---去除光阻 硫酸+雙氧水---清除有機物 程序：?確認溫度及秒數?浸泡?放冷(5min) ACE+超音波震湯?IPA?水洗?IPA 熱氮吹乾?硫酸+雙氧水(常溫/1min) 水洗?檢查 量測：α-step?(稜線量測儀) 檢查重點：ITO?表面是否有PR?殘留、切割道是否乾凈、圖形是否完整
8、TCL?蝕刻
使用機臺：wet?bench
使用溶液：ITO?蝕刻液(鹽酸+氯化鐵)
---蝕刻ITO條件：55℃/?40sec
程序：?確認溫度及秒數?蝕刻?水洗?檢查?去光阻?歸盤時須區分該過的爐管
檢查重點：是否有側蝕、切割道是否乾凈、圖形是否完整、是否光阻殘留
9、打線測試
使用機臺：打線機、拉力計
程序：?打線?拉力記錄拉力克數推金球
及拉掉金線?吹掉金球及金線?檢查?檢查重點：?pad?peeling、拉力克數是否足夠(須大於?
8g)、是否有打不黏的情況
重要：?打線完線頭及金線必須完全剔除，用氮氣槍吹乾凈。否則會造成晶片?研磨後厚度不均而整片報廢
10、合金
使用機臺：爐管
蝕刻深度：330?℃/10min?
後段制程：
制程順序：
研磨制程：上蠟→研磨→拋光→下蠟→清洗
切/劈制程：貼片→雷射切割→劈裂→翻轉→擴張
點測制程：全點/抽點(確認chip光/電特性資料)
分類制程：依照光/電特性
目檢制程：挑除外觀不良之Chip