關於bjt的結構特點說法錯誤的是

關於BJT的結構特點說法錯誤的是（C）。

A. 基區很薄且摻雜濃度很低

B. 發射區的摻雜濃度遠大於集電區摻雜濃度

C. 基區的摻雜濃度遠大於集電區摻雜濃度

D. 集電區面積大於發射區面積

根據結構不同，bjt壹般可分成兩種類型：npn型和pnp型。npn型bjt結構示意圖、管芯剖面圖及表示符號如圖3所示。

半導體的三個區域分別稱為發射區、基區和集電區；三個區域引出的三個電極分別叫做發射極e、基極b和集電極c；發射區與基區間的pn結稱為發射結，基區與集電區間的pn結稱為集電結。

bjt的結構特點有超高頻性能，大電流驅動能力，有兩種極性載流子，自由電子和空穴。電流驅動型器件。

發射極（e）對應的雜質半導體區域為發射區，該區域摻雜濃度較高。基極（b）對應的雜質半導體區域為基區，該區域寬度很薄，摻雜濃度很低。

集電極（c）對應的雜質半導體區域為集電區，該區域面積大，摻雜濃度很低。發射結：發射區和基區的PN結。集電結：基區和集電區的PN結。